PEALD&CVD联合镀膜系统

矽碁科技利用PEALD和PECVD各自镀膜的特点为用户开发了PECVD&PEALD联合镀膜系统，用于半导体工艺中的薄膜封装。ALD技术可以制备非常薄，非常致密的薄膜，但ALD技术制备致密薄膜需要的时间比较长，这在工业生产中是不能容忍的。为了克服ALD镀膜速度慢的劣势，将其与PECVD快速制备介质薄膜的技术集成到一起，可以实现多种不同材料交替堆叠的薄膜结构。实践证明，这种交替结构的薄膜封装性能可以达到与ALD技术同等的封装效果，同时降低了整个封装过程占用的时间。

ALD

1 不锈钢腔体，双层加热设计；

2 等离子体增强模块集成于腔体上盖；

3 进口高速ALD隔膜阀；

4 最大12英寸基片；

5 基片最高加热400℃；

6 最多可提供6路前驱物和6路工艺气体；

7 气路全金属密封，并可加热至120℃；

8 可提供前驱体钢瓶加热或冷却；

9 可全自动控制工艺过程，同时也可以手动操作。

PECVD

1 基片尺寸可定制；

2 低温工艺：< 150℃ / 350℃；

3 多层式工艺气体导入，气体分布均匀；

4 独立MFC控制箱，可灵活扩充工艺气路；

5 基片内镀膜均匀性优于 ±5%；

6 可与手套箱集成；

多层薄膜封装技术

不同技术对比