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化学气相沉积

  • 热丝辅助化学气相沉积(HWCVD/HW-PECVD)
热丝辅助化学气相沉积(HWCVD/HW-PECVD)

热丝辅助化学气相沉积(HWCVD/HW-PECVD)

  • 热丝加热可高达2000℃
  • ICP等离子体增强模块
  • 自动机械手臂传样
  • 加热台加热温度500℃
  • 产品描述:热丝辅助化学气相沉积,HWCVD,HW-PECVD,CVD
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热丝辅助化学气相沉积(Hot Wire Assisted Chemical Vapor Deposition, HWCVD)是指在加热丝辅助的条件下进行薄膜化学气相沉积,适合做高温的结晶材料,加热丝辅助的同时还可以利用等离子体增强线圈进一步辅助,从而提高制备出来的薄膜的晶体取向性。


技术参数:

1 基片尺寸可定制;
2 最高加热温度 2000℃;
3 样品台加热温度500
4 ICP等离子体增强可选;