ICP增强化学气相沉积（ICP-CVD）

电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(ICP Chemical Vapor Deposition, ICPVD)利用ICP线圈将反应气体高度离化，是的CVD可以在高温下实现一些特殊材料的沉积。该产品需根据用户的应用需求定制，目前定制的产品成功制备出直立生长石墨烯，而且可以通过工艺控制材料的生长状态。这种石墨烯在催化，场发射领域都有广泛的应用。

技术参数：
1 基片尺寸2～6 英寸；
2 最高加热温度 900℃；
3 最多可拓展6路工艺气体；
4 可选快速传样腔体；