磁控溅射是物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition, PVD)的一种。一般用于制备金属、半导体、绝缘体等薄膜材料,具有设备简单、易于控制、效率高,面积大等优点。
磁控溅射原理:通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
技术参数:
1 本底真空:10-7Torr到10-9Torr;
2 单基片设计,尺寸可定制,常规尺寸2-6英寸;
3 基片可旋转并加热:300℃/500℃/800℃;
4 最多可拓展8支磁控溅射靶枪,可共溅射;
5 靶枪角度可调,溅镀距离可调,可升级强磁靶;
6 可选配多路气路;
7 防交叉污染隔板设计;
8 可配备离子束辅助沉积;
9 可配备样品预清洗功能;
10 可配备快速进样室;
11 可配备自动压力控制系统;
12 全自动操作系统;
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