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磁控溅射

  • 磁控溅射(共溅射)
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磁控溅射(共溅射)

  • 金属薄膜
  • 半导体薄膜
  • 氧化物薄膜
  • 多组分化合物薄膜
  • 产品描述:共溅射式磁控溅射系统,支持2-6只靶枪,2-6寸样品,适合微米以下厚度的薄膜制备,金属薄膜,半导体薄膜,氧化物薄膜,合金薄膜,多组分薄膜均可制备。
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磁控溅射是物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition, PVD)的一种。一般用于制备金属、半导体、绝缘体等薄膜材料,具有设备简单、易于控制、效率高,面积大等优点。

磁控溅射原理:通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。


技术参数:

1 本底真空:10-7Torr到10-9Torr;

2 单基片设计,尺寸可定制,常规尺寸2-6英寸;

3 基片可旋转并加热:300℃/500℃/800℃;

4 最多可拓展8支磁控溅射靶枪,可共溅射;

5 靶枪角度可调,溅镀距离可调,可升级强磁靶;

6 可选配多路气路;

7 防交叉污染隔板设计;

8 可配备离子束辅助沉积;

9 可配备样品预清洗功能;

10 可配备快速进样室;

11 可配备自动压力控制系统;

12 全自动操作系统;