SUSS光刻机

本公司新到一批二手的SUSS光刻机，机台成色新（8-9成新），状态好，价格合适，售后服务完善。欢迎垂询！

SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH的型号如下：

1. MA8-BA8-GEN3
2. MA-BA8-GEN4PRO
3. MA150E

实验室及小批量生产用小型 光刻机平台

苏斯公司的 MA/BA 4 代系列是最新一代的半自动光刻和键合对准机，并引进了新的平台系统。新平台主要是配置不同。它由标准款 MA/BA 4 代与用于先进高端工艺的扩展 MA/BA 4 代专业款组成。
基础款有 MA/BA6 4 代和 MA/BA8 4 代两种。此掩模和键合对准机的设计符合人体工程学，用户界面友好，成本低，占用面积小，最适合于学术研究及小批量生产使用。
苏斯的MA/BA 4 代系列为学术研究、微机电系统/纳米机电系统、3D 集成和化合物半导体全光刻领域树立了新的标准。另外，它还能够支持键合对准、熔接键合及 SMILE 压印工艺。在 MA/BA 4 代系列上开发的工艺可以快速地转化为自动化掩膜对准机大批量生产工艺。

高精度产生最好的工艺成果

MA/BA 4 代系列高度自动化，工艺成果更优异。恒量模式、自动控制曝光时间、自动对准等功能为工业参数优化提供了更好的支持。此外，MA/BA 4 代还配置了高质量的光学系统 MO Exposure Optics，曝光条件更优异。先进的机制使校准精度更高。采用上、下面显微镜单元（TSA和BSA）设计方式，不再像TSA显微镜那样需要大距离移动，从而避免了震动。

操作舒适性

配方编辑、数据记录功能，以及可分配使用权限，减轻了操作员的工作负担，同时减少了错误源。MA/BA 4 代平台还采用了高端的数码显微镜和摄像系统，可从显示屏上显示更高质量的图像，视野更大，从而使校准工作更为便捷。

环境保护及劳动保护

MA/BA 4 代系列可选配节能 LED 灯装置，可大大降低运营及维护成本，同时提供更好的环境保护及劳动保护。相比，水银蒸汽灯很昂贵，一旦废旧，需要作为特殊垃圾处理。该设备具有更好的安全防护设施，包括紫外照射防护、安全锁、防夹装置等，可满足更高的安全要求。

性价比
MA/BA 4 代系列的拥有成本最具吸引力的地方在于占地面积小，同时工艺技术多样。其中，如果选配了节能LED灯，更能节省了运营和维护成本。设备结实耐用，各种操作元件、可更换部件都容易接触，加上采用 LED 光源，苏斯公司的 MO Exposure Optics MA/BA 4 代平台极大降低了维护成本。此外，还可以通过远程访问设备，识别及解决出现的故障，这又可以省下很多成本。

晶圆与晶圆之间对准、熔接键合、压印光刻等都是可选配加装的其他功能

设备功能简介：

SUSS MA8光刻机可实现双面对准和接触式曝光功能。

主机由计算机进行工艺参数设定，具有基于Windows操作系统的图形化控制软件。软件具有工艺编程、设备控制、硬件自我故障诊断功能，工艺操作方便快捷。

曝光光源为汞灯光源，波长350-450nm，支持恒定光强和恒定功率模式曝光。

配置消衍射及微镜式光学系统，可在同一设备上实现“高分辨率”和“大景深”两种模式曝光，并可随时切换，分辨率优于1.5μm；曝光模式可支持硬接触、软接触、接近式和真空接触。

该设备对准有手动对准、计算机辅助对准、全自动对准三种模式。正面对准显微镜支持高达400μm的大景深光刻对准技术，背面对准显微镜为X-Y方向全自动控制分离视场显微镜。

对准台具有全自动非接触式芯片厚度补偿系统，可全自动完成芯片厚度补偿。

设备性能指标：

1、载片尺寸：8"，6"，4"，2"及碎片；

2、最小分辨率：优于1.5μm（光刻胶厚度1微米）；

3、正面对准精度优于±0.5μm；背面对准精度优于±1.0μm；

4、光强均匀度：不高于±4%@200mm圆片；

5、曝光模式：支持硬接触、软接触、接近和真空等模式；

6、接近式曝光方式，可调节范围至少0-300μm；

7、曝光汞灯电源：支持恒定光强和恒定功率模式曝光。