反应离子刻蚀（RIE/ICP-RIE）

反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板电极间施加射频电压，通过产生的等离子体对样品进行化学和物理刻蚀。矽碁科技提供各类定制化RIE设备，广泛应用于氧化硅、氮化硅及各类电介质材料刻蚀，此外矽碁还可以提供电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)，该机型可提供更高的等离子浓度，适合金属等其他材料的刻蚀。

技术参数：

1 基片尺寸可定制；

2 多层式工艺气体导入，气体分布均匀；

3 独立MFC控制箱，可灵活扩充工艺气路；

4 基板水冷系统，保持刻蚀时基板温度恒定；

5 刻蚀均匀性优于 ±5%；