OLED薄膜封装

薄膜封装-TFE(Thin Film Encapsulation)利用超薄的薄膜实现对OLED材料的密封，以保护OLED材料不受外部水分、氧气的侵蚀，起到封装材料的作用。

OLED薄膜难点是OLED材料不能承受高温，也能容许在薄膜沉积的过程中有过多的离子损伤。

低温原子层沉积技术（ALD）和电感耦合等离子增强化学气相沉积技术（ICP-CVD）是目前两种比较可行的OLED TFE方案。

1. 低温原子层沉积技术（ALD）可以在器件表面形成超薄并且致密度非常好的介质薄膜，起到封装的作用。主要使用的封装材料有Al2O3和HfO2等。

矽碁开发的200*200mm ALD TFE机台。

用HfO2封装的OLED器件

2. 电感耦合等离子体增强化学气相沉积技术（ICP-CVD）也可以用于OELD薄膜封装，需要对等离子体模块进行特殊设计，以减少等离子体对OLED器件的损伤。同时需要调整镀膜前驱物和工艺。

与传统CVD技术对比

低温ICP-CVD OLED器件封装效果

低温ALD和低温ICP-CVD技术可以配合使用实现多层膜交替封装，或者不同类型材料交叠的封装。

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相关ALD设备链接：http://www.hightrendtech.com/cn/Products-ALD.html

相关OLED设备链接：http://www.hightrendtech.com/cn/product/product-Syskey-OLED.html